IPP65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPP65R310CFDXKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Infineon Technologies

I lager: 236

Enhetspris : kr 26,93000

Similar

IXYS

I lager: 0

Enhetspris : kr 0,00000

Similar

IXYS

I lager: 0

Enhetspris : kr 23,98850

Similar

STMicroelectronics

I lager: 0

Enhetspris : kr 12,22452

Similar

STMicroelectronics

I lager: 352

Enhetspris : kr 48,29000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 869

Enhetspris : kr 29,67000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP65R310CFDXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IPP65R310CFDXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPP65R310CFDXKSA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 11,4 A (Tc) 104,2W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	11,4 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	310mOhm vid 4,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 440µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	104,2W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO220-3
Inkapsling/låda	TO-220-3
Basproduktens nummer	IPP65R310