N-kanal 650 V 11 A (Tc) 96W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP60R299CPXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IPP60R299CPXKSA1-ND
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPP60R299CPXKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 11 A (Tc) 96W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPP60R299CPXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Senaste tidpunkt för inköp
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
11 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
299mOhm vid 6,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 440µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
96W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
IPP60R299
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 990
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Sista datum för köp: 30.09.2026
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 29,62000kr 29,62
50kr 14,79440kr 739,72
100kr 13,35690kr 1 335,69
500kr 10,83736kr 5 418,68
1 000kr 10,02779kr 10 027,79
2 000kr 9,34727kr 18 694,54
5 000kr 9,26266kr 46 313,30
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 29,62000
Enhetspris inkl. moms:kr 37,02500