IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPP120P04P4L03AKSA2 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Goford Semiconductor

I lager: 0

Enhetspris : kr 24,85000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP120P04P4L03AKSA2
DigiKeys produktnummer	448-IPP120P04P4L03AKSA2-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPP120P04P4L03AKSA2
Beskrivning	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 40 V 120 A (Tc) 136W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPP120P04P4L03AKSA2 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ P2
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	120 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,4mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 340µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+5V, -16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	15000 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	136W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q100
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO220-3-1
Inkapsling/låda	TO-220-3
Basproduktens nummer	IPP120