N-kanal 60 V 80 A (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP091N06N G

DigiKeys produktnummer
IPP091N06NG-ND
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPP091N06N G
Beskrivning
MOSFET N-CHAN TO-220
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 60 V 80 A (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Har utgått hos Digi-Key
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
80 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
9,1mOhm vid 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 130µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
IPP091N
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Till följd av tillfälliga leveransbegränsningar kan vi inte acceptera restordrar, och ledtiden är inte tillgänglig för tillfället.