N-kanal 30 V 50 A (Tc) 47W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-1
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP080N03L G

DigiKeys produktnummer
IPP080N03LG-ND
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPP080N03L G
Beskrivning
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 30 V 50 A (Tc) 47W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-1
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPP080N03L G Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
50 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
8mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
47W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3-1
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
IPP080N
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre.