IPP052NE7N3GXKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Infineon Technologies
I lager: 76
Enhetspris : kr 28,14000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 3 378
Enhetspris : kr 40,32000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 3 943
Enhetspris : kr 36,35000
Datablad

Similar


Rochester Electronics, LLC
I lager: 544
Enhetspris : kr 6,92017
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 320
Enhetspris : kr 69,48000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 1 043
Enhetspris : kr 28,33000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 273
Enhetspris : kr 31,00000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 957
Enhetspris : kr 26,20000
Datablad
N-kanal 75 V 80 A (Tc) 150W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-1
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP052NE7N3GXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IPP052NE7N3GXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPP052NE7N3GXKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 75 V 80 A (Tc) 150W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-1
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPP052NE7N3GXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
75 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
5,2mOhm vid 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,8V vid 91µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 37.5 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3-1
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.