IPP023N04NGXKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Infineon Technologies
I lager: 1 979
Enhetspris : kr 18,61000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 2 565
Enhetspris : kr 27,92000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 914
Enhetspris : kr 22,44000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 500
Enhetspris : kr 30,84000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 3 650
Enhetspris : kr 31,20000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 2 177
Enhetspris : kr 30,01000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 7,28306
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 297
Enhetspris : kr 73,53000
Datablad
N-kanal 40 V 90 A (Tc) 167W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP023N04NGXKSA1

DigiKeys produktnummer
IPP023N04NGXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPP023N04NGXKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 40 V 90 A (Tc) 167W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPP023N04NGXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
2,3mOhm vid 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 95µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10000 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
167W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.