Name: IPN95R3K7P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN95R3K7P7ATMA1TR-ND
Price: 14.825 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPN95R3K7P7ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPN95R3K7P7ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPN95R3K7P7ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPN95R3K7P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPN95R3K7P7ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 950 V 2 A (Tc) 6W (Tc) Ytmontering PG-SOT223
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPN95R3K7P7ATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,5V vid 40µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 196 pF @ 400 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 6W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 950 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-SOT223
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 2 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-261-4, TO-261AA
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer IPN95R3
Rds On (max) @ Id, Vgs 3,7Ohm vid 800mA, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 2 001

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)