IPN80R750P7ATMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Infineon Technologies
I lager: 4 126
Enhetspris : kr 20,98000
Datablad
N-kanal 800 V 7 A (Tc) 7,2W (Tc) Ytmontering PG-SOT223
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 800 V 7 A (Tc) 7,2W (Tc) Ytmontering PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R750P7ATMA1

DigiKeys produktnummer
IPN80R750P7ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
IPN80R750P7ATMA1CT-ND - Remsbit (CT)
IPN80R750P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPN80R750P7ATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 800 V 7 A (Tc) 7,2W (Tc) Ytmontering PG-SOT223
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPN80R750P7ATMA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
750mOhm vid 2,7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 140µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 500 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
7,2W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-SOT223
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.