Name: IPN80R3K3P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND
Price: 12.2875 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IPN80R3K3P7ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPN80R3K3P7ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPN80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPN80R3K3P7ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Tillverkarens standardleveranstid	17 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 800 V 1,9 A (Tc) 6,1W (Tc) Ytmontering PG-SOT223
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPN80R3K3P7ATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	1,9 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,3Ohm vid 590mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 30µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	120 pF @ 500 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	6,1W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-SOT223
Inkapsling/låda	TO-261-4, TO-261AA
Basproduktens nummer	IPN80R3

Enhetspris exkl. moms:	kr 9,83000
Enhetspris inkl. moms:	kr 12,28750

IPN80R3K3P7ATMA1