Name: IPN60R2K1CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R2K1CEATMA1TR-ND
Price: 9.0125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPN60R2K1CEATMA1
DigiKeys produktnummer	IPN60R2K1CEATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPN60R2K1CEATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPN60R2K1CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPN60R2K1CEATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 3,7 A (Tc) 5W (Tc) Ytmontering PG-SOT223-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPN60R2K1CEATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,5V vid 60µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 100 V
Artikelstatus Inte för nya designer	Effektförlust (max) 5W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -40°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 600 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-SOT223-3
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 3,7 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-261-4, TO-261AA
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer IPN60R2
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,1Ohm vid 800mA, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 68 814

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Rekommenderas ej för nya konstruktioner. Miniminivåer kan förekomma.

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)