IPD80R2K8CEBTMA1 är slut i lager och restnotering är inte tillgängligt för närvarande.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
I lager: 285
Enhetspris : kr 13,66000
Datablad

Similar

FCD3400N80Z
onsemi
I lager: 2 446
Enhetspris : kr 23,62000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-11
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPD80R2K8CEBTMA1

DigiKeys produktnummer
IPD80R2K8CEBTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPD80R2K8CEBTMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-11
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Har utgått hos DigiKey
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
1,9 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
2,8Ohm vid 1,1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,9V vid 120µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
42W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO252-3-11
Inkapsling/låda
TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer
IPD80R
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Till följd av tillfälliga leveransbegränsningar kan vi inte acceptera restordrar, och ledtiden är inte tillgänglig för tillfället. Visa Ersättningsartiklar.