Name: IPD80R1K4P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K4P7ATMA1TR-ND
Price: 16.95 SEK
Availability: InStock

IPD80R1K4P7ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD80R1K4P7ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPD80R1K4P7ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPD80R1K4P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD80R1K4P7ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Tillverkarens standardleveranstid	29 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 800 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Ytmontering PG-TO252-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD80R1K4P7ATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	4 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,4Ohm vid 1,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 700µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 500 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	32W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO252-2
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	IPD80R1

Enhetspris exkl. moms:	kr 13,56000
Enhetspris inkl. moms:	kr 16,95000

IPD80R1K4P7ATMA1