IPD65R950CFDATMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

STD6N60M2
STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 17,99000
Datablad

Similar

STD7N65M2
STMicroelectronics
I lager: 68
Enhetspris : kr 18,27000
Datablad

Similar

STD7NM80
STMicroelectronics
I lager: 1 349
Enhetspris : kr 41,80000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD65R950CFDATMA1

DigiKeys produktnummer
IPD65R950CFDATMA1-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPD65R950CFDATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
3,9 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
950mOhm vid 1,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 200µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
14.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
36,7W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO252-3
Inkapsling/låda
TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer
IPD65R950
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.