IPD60R650CEBTMA1 är slut i lager och restnotering är inte tillgängligt för närvarande.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt

STD10N60DM2
STMicroelectronics
I lager: 1 586
Enhetspris : kr 18,08000
Datablad

Similar

FCD7N60TM
onsemi
I lager: 4 118
Enhetspris : kr 31,46000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 600 V 7 A (Tc) 82W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 600 V 7 A (Tc) 82W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD60R650CEBTMA1

DigiKeys produktnummer
IPD60R650CEBTMA1-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPD60R650CEBTMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 7 A (Tc) 82W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ CE
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Har utgått hos DigiKey
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
7 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
650mOhm vid 2,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 200µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
82W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO252-3
Inkapsling/låda
TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer
IPD60R
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Till följd av tillfälliga leveransbegränsningar kan vi inte acceptera restordrar, och ledtiden är inte tillgänglig för tillfället. Visa Ersättningsartiklar.