Name: IPD60R280P7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R280P7SAUMA1TR-ND
Price: 18.225 SEK
Availability: OutOfStock

IPD60R280P7SAUMA1 är slut i lager och kan restnoteras.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Rohm Semiconductor

I lager: 2 145

Enhetspris : kr 23,53000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

I lager: 0

Enhetspris : kr 29,16000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPD60R280P7SAUMA1
DigiKeys produktnummer	IPD60R280P7SAUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPD60R280P7SAUMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPD60R280P7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD60R280P7SAUMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Tillverkarens standardleveranstid	35 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 12 A (Tc) 53W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD60R280P7SAUMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	12 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	280mOhm vid 3,8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 190µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	761 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	53W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO252-3
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	IPD60R