Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 29.2 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPD60N10S4L12ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD60N10S4L12ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-313
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD60N10S4L12ATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±16V
Serie HEXFET®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3170 pF @ 25 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 94W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
FET-typ N-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 60 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO252-3-313
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Rds On (max) @ Id, Vgs 12mOhm vid 60A, 10V	Basproduktens nummer IPD60N10
Vgs(th) (Max) @ Id 2,1V vid 46µA