Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 23.65 SEK
Availability: InStock

IPD60N10S4L12ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD60N10S4L12ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-313
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD60N10S4L12ATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	60 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	12mOhm vid 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,1V vid 46µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3170 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	94W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO252-3-313
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	IPD60N10

Enhetspris exkl. moms:	kr 18,92000
Enhetspris inkl. moms:	kr 23,65000

IPD60N10S4L12ATMA1