IPD50R500CEBTMA1 är slut i lager och restnotering är inte tillgängligt för närvarande.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
I lager: 11 716
Enhetspris : kr 23,07000
Datablad

Similar

STD11NM50N
STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 26,20000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 500 V 7,6 A (Tc) 57W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-11
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPD50R500CEBTMA1

DigiKeys produktnummer
IPD50R500CEBTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPD50R500CEBTMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 500 V 7,6 A (Tc) 57W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-11
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ CE
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Har utgått hos DigiKey
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
7,6 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
13V
Rds On (max) @ Id, Vgs
500mOhm vid 2,3A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 200µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
433 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
57W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO252-3-11
Inkapsling/låda
TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer
IPD50R
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Till följd av tillfälliga leveransbegränsningar kan vi inte acceptera restordrar, och ledtiden är inte tillgänglig för tillfället. Visa Ersättningsartiklar.