IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPD50R1K4CEAUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPD50R1K4CEAUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPD50R1K4CEAUMA1CT-ND - Remsbit (CT)
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD50R1K4CEAUMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 500 V 3,1 A (Tc) 42W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD50R1K4CEAUMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,5V vid 70µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT)	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 178 pF @ 100 V
Artikelstatus Föråldrad	Effektförlust (max) 42W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 500 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO252-3
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 3,1 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 13V	Basproduktens nummer IPD50R1
Rds On (max) @ Id, Vgs 1,4Ohm vid 900mA, 13V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 950

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut.

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT)

Remsa och spole (TR)