Name: IPD35N12S3L24ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND
Price: 26.9375 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IPD35N12S3L24ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPD35N12S3L24ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD35N12S3L24ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Tillverkarens standardleveranstid	9 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 120 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	120 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	35 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	24mOhm vid 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4V vid 39µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	71W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO252-3
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	IPD35N12

Antal	Enhetspris	Totalpris
2 500	kr 6,04607	kr 15 115,18
5 000	kr 5,93105	kr 29 655,25

Enhetspris exkl. moms:	kr 21,55000
Enhetspris inkl. moms:	kr 26,93750

IPD35N12S3L24ATMA1