Name: IPD320N20N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD320N20N3GATMA1TR-ND
Price: 42.525 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IPD320N20N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD320N20N3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPD320N20N3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPD320N20N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD320N20N3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 200 V 34 A (Tc) 136W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD320N20N3GATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	34 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	32mOhm vid 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 90µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2350 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	136W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO252-3
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	IPD320

Enhetspris exkl. moms:	kr 34,02000
Enhetspris inkl. moms:	kr 42,52500

IPD320N20N3GATMA1