Name: IPD30N06S2L23ATMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S2L23ATMA3TR-ND
Price: 21.6125 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IPD30N06S2L23ATMA3
DigiKeys produktnummer	IPD30N06S2L23ATMA3TR-ND - Remsa och spole (TR) IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND - Remsbit (CT) IPD30N06S2L23ATMA3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD30N06S2L23ATMA3
Beskrivning	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Tillverkarens standardleveranstid	9 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 55 V 30 A (Tc) 100W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-11
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD30N06S2L23ATMA3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	55 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	30 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	23mOhm vid 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 50µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1091 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	100W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO252-3-11
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	IPD30N06

Enhetspris exkl. moms:	kr 17,29000
Enhetspris inkl. moms:	kr 21,61250

IPD30N06S2L23ATMA3