Name: IPD180N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD180N10N3GATMA1TR-ND
Price: 20.6375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPD180N10N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD180N10N3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPD180N10N3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPD180N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD180N10N3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Tillverkarens standardleveranstid	19 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 43 A (Tc) 71W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD180N10N3GATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,5V vid 33µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 50 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 71W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO252-3
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 43 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Basproduktens nummer IPD180
Rds On (max) @ Id, Vgs 18mOhm vid 33A, 10V