IPD105N03LGATMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Infineon Technologies
I lager: 63 983
Enhetspris : kr 9,69000
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
I lager: 0
Enhetspris : kr 9,41000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 0,00000
Datablad
N-kanal 30 V 35 A (Tc) 38W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-11
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPD105N03LGATMA1

DigiKeys produktnummer
IPD105N03LGATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPD105N03LGATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 30 V 35 A (Tc) 38W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-11
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
10,5mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
38W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO252-3-11
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.