Name: IPD048N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD048N06L3GATMA1TR-ND
Price: 22.0875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPD048N06L3GATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPD048N06L3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPD048N06L3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPD048N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPD048N06L3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 90 A (Tc) 115W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-311
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD048N06L3GATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	90 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,8mOhm vid 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 58µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	8400 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	115W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO252-3-311
Inkapsling/låda	TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer	IPD048N