Name: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
Price: 14.8875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPC50N04S55R8ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPC50N04S55R8ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 50 A (Tc) 42W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-33
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPC50N04S55R8ATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	50 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	5,8mOhm vid 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,4V vid 13µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1090 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	42W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8-33
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	IPC50N