Name: IPBE65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND
Price: 70.05 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPBE65R099CFD7AATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPBE65R099CFD7AATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Tillverkarens standardleveranstid	17 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 24 A (Tc) 127W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-3-10
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPBE65R099CFD7AATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD7A
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	24 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	99mOhm vid 12,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 630µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2513 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	127W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-7-3-10
Inkapsling/låda	TO-263-7, D2PAK (6 stift + flik), TO-263CB
Basproduktens nummer	IPBE65