Name: IPB80N06S2H5ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
Price: 50.4375 SEK
Availability: InStock

IPB80N06S2H5ATMA2 är slut i lager och kan restnoteras.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

STMicroelectronics

I lager: 697

Enhetspris : kr 4,47000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPB80N06S2H5ATMA2
DigiKeys produktnummer	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Remsa och spole (TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Remsbit (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB80N06S2H5ATMA2
Beskrivning	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Tillverkarens standardleveranstid	9 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB80N06S2H5ATMA2 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	55 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	80 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	5,2mOhm vid 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 230µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4400 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	300W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3-2
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	IPB80N