IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

IPB80N06S208ATMA2 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

IXYS

I lager: 0

Enhetspris : kr 25,25973

Similar

Vishay Siliconix

I lager: 1 573

Enhetspris : kr 36,49000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPB80N06S208ATMA2
DigiKeys produktnummer	IPB80N06S208ATMA2-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB80N06S208ATMA2
Beskrivning	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 55 V 80 A (Tc) 215W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB80N06S208ATMA2 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 25 V
Förpackning Remsa och spole (TR)	Effektförlust (max) 215W (Tc)
Artikelstatus Föråldrad	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
FET-typ N-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 55 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 80 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO263-3-2
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Rds On (max) @ Id, Vgs 7,7mOhm vid 58A, 10V	Basproduktens nummer IPB80N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 150µA