N-kanal 650 V 13,8 A (Tc) 104W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 13,8 A (Tc) 104W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R280E6ATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB65R280E6ATMA1-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPB65R280E6ATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 13,8 A (Tc) 104W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ E6
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Har utgått hos DigiKey
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
13,8 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
280mOhm vid 4,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 440µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
104W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO263-3
Inkapsling/låda
TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
IPB65R
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Till följd av tillfälliga leveransbegränsningar kan vi inte acceptera restordrar, och ledtiden är inte tillgänglig för tillfället.