IPB60R190P6ATMA1 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPB60R190P6ATMA1 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Infineon Technologies

I lager: 122

Enhetspris : kr 26,55000

Similar

Rohm Semiconductor

I lager: 811

Enhetspris : kr 44,98000

Similar

Vishay Siliconix

I lager: 0

Enhetspris : kr 18,90000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 4 154

Enhetspris : kr 41,39000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 0

Enhetspris : kr 17,40577

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPB60R190P6ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB60R190P6ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB60R190P6ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P6
Förpackning	Remsa och spole (TR)
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	20,2A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	190mOhm vid 7,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 630µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1750 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	151W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	IPB60R