N-kanal 120 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3-2
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPB35N12S3L26ATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB35N12S3L26ATMA1-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPB35N12S3L26ATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CHANNEL_100+
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 120 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3-2
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ T
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
120 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
35 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
26,3mOhm vid 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,4V vid 39µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
71W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO263-3-2
Inkapsling/låda
TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
IP35N
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Marketplace-lager: 23 000 Visa nu
Denna produkt tillverkas inte längre.

Other Suppliers on DigiKey

23 000I lager
Skickas från Rochester Electronics, LLC