Name: IPB35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND
Price: 34.025 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPB35N10S3L26ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB35N10S3L26ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Tillverkarens standardleveranstid	9 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	35 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	26,3mOhm vid 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4V vid 39µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	71W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	IPB35N10