Name: IPB180N04S4H0ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N04S4H0ATMA1TR-ND
Price: 49.375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPB180N04S4H0ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB180N04S4H0ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPB180N04S4H0ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB180N04S4H0ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 180 A (Tc) 250W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB180N04S4H0ATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 17940 pF @ 25 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 250W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
FET-typ N-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 40 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 180 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO263-7-3
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda TO-263-7, D2PAK (6 stift + flik)
Rds On (max) @ Id, Vgs 1,1mOhm vid 100A, 10V	Basproduktens nummer IPB180
Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 180µA