N-kanal 30 V 120 A (Tc) 79W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 30 V 120 A (Tc) 79W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB120N03S4L03ATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB120N03S4L03ATMA1-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPB120N03S4L03ATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 30 V 120 A (Tc) 79W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
120 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
3mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,2V vid 40µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
79W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO263-3
Inkapsling/låda
TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
IPB120
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Marketplace-lager: 15 000 Visa nu
Denna produkt tillverkas inte längre.

Other Suppliers on DigiKey

15 000I lager
Skickas från Rochester Electronics, LLC
Associerad produktVisa alla
2 Artiklar
AUIR2085STR

AUIR2085STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

kr 36,35000
TLE9180D31QKXUMA1

TLE9180D31QKXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP

Infineon Technologies

kr 61,64000