Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 88 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IPB110N20N3LFATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB110N20N3LFATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 200 V 88 A (Tc) 250W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB110N20N3LFATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 3
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	88 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	11mOhm vid 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,2V vid 260µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	76 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	250W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	IPB110

Enhetspris exkl. moms:	kr 70,40000
Enhetspris inkl. moms:	kr 88,00000

IPB110N20N3LFATMA1