IPB083N10N3GATMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Infineon Technologies
I lager: 38
Enhetspris : kr 20,11000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 1 835
Enhetspris : kr 30,17000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 11 253
Enhetspris : kr 26,02000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 6 564
Enhetspris : kr 34,32000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 0
Enhetspris : kr 9,75860
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 50
Enhetspris : kr 38,11000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 22,61850
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 983
Enhetspris : kr 58,41000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 53
Enhetspris : kr 51,86000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 21,89544
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 0
Enhetspris : kr 30,63000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 3 800
Enhetspris : kr 23,34000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 5 321
Enhetspris : kr 28,42000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 639
Enhetspris : kr 28,14000
Datablad
N-kanal 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB083N10N3GATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB083N10N3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
IPB083N10N3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT)
IPB083N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPB083N10N3GATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPB083N10N3GATMA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
8,3mOhm vid 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 75µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3980 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO263-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.