Name: IPB040N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 44.65 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPB040N08NF2SATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPB040N08NF2SATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPB040N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPB040N08NF2SATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 107 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB040N08NF2SATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	107 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4mOhm vid 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,8V vid 85µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3800 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,8W (Ta), 150W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	IPB040N