N-kanal 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-FP
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPAN65R650CEXKSA1

DigiKeys produktnummer
IPAN65R650CEXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPAN65R650CEXKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-FP
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPAN65R650CEXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Senaste tidpunkt för inköp
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
650mOhm vid 2,1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 210µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
28W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-FP
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 14
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
När det tillgängliga lagret av denna produkt har tagit slut, gäller tillverkarens standardiserade förpackning och ledtid. Visa Ersättningsartiklar.
Sista datum för köp: 30.09.2026
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 15,41000kr 15,41
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 15,41000
Enhetspris inkl. moms:kr 19,26250