IPA65R225C7XKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Infineon Technologies
I lager: 500
Enhetspris : kr 32,29000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 528
Enhetspris : kr 33,22000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 306
Enhetspris : kr 28,70000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 40
Enhetspris : kr 34,05000
Datablad

Similar


YAGEO XSEMI
I lager: 847
Enhetspris : kr 31,09000
Datablad
N-kanal 650 V 7 A (Tc) 29W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-FP
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPA65R225C7XKSA1

DigiKeys produktnummer
IPA65R225C7XKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPA65R225C7XKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 7 A (Tc) 29W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-FP
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPA65R225C7XKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
225mOhm vid 4,8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 240µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
996 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
29W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-FP
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Marketplace-lager: 1 219 Visa nu
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.

Other Suppliers on DigiKey

1 219I lager
Skickas från Rochester Electronics, LLC