IPA65R110CFDXKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


STMicroelectronics
I lager: 51
Enhetspris : kr 46,41000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 702
Enhetspris : kr 37,37000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 21,75352
Datablad
N-kanal 650 V 31,2 A (Tc) 34,7W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-111
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPA65R110CFDXKSA1

DigiKeys produktnummer
IPA65R110CFDXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPA65R110CFDXKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 31,2 A (Tc) 34,7W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-111
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPA65R110CFDXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
110mOhm vid 12,7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 1,3mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
34,7W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3-111
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.