IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPA50R299CPXKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt

Vishay Siliconix

I lager: 0

Enhetspris : kr 29,30000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 409

Enhetspris : kr 25,80000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 903

Enhetspris : kr 45,17000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 980

Enhetspris : kr 51,41000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

I lager: 99

Enhetspris : kr 34,02000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPA50R299CPXKSA1
DigiKeys produktnummer	IPA50R299CPXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPA50R299CPXKSA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 550 V 12 A (Tc) 104W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-31
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	550 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	12 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	299mOhm vid 6,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 440µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1190 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	104W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO220-3-31
Inkapsling/låda	TO-220-3 fullpack
Basproduktens nummer	IPA50R