N-kanal 750 V 163 A (Tc) 517W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-U02
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMZA75R008M1HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IMZA75R008M1HXKSA1
Beskrivning
SILICON CARBIDE MOSFET
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 750 V 163 A (Tc) 517W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-U02
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMZA75R008M1HXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Inte för nya designer
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
750 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
163 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
7,2mOhm vid 90,3A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,6V vid 32,4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 500 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6137 pF @ 500 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
517W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-4-U02
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Begär lagermeddelande
Rekommenderas ej för nya konstruktioner. Miniminivåer kan förekomma.
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 345,46000kr 345,46
30kr 228,05500kr 6 841,65
120kr 211,39292kr 25 367,15
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 345,46000
Enhetspris inkl. moms:kr 431,82500
Du är kanske också intresserad av
1 Artiklar
SCT4013DRC15

SCT4013DRC15

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

kr 338,81000