Name: IMZA65R075M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R075M2HXKSA1-ND
Price: 97.5 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

N-kanal 650 V 26,6 A (Tc) 111W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-8

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMZA65R075M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZA65R075M2HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMZA65R075M2HXKSA1
Beskrivning	IMZA65R075M2HXKSA1
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 26,6 A (Tc) 111W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 68mOhm vid 11,9A, 20V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs(th) (Max) @ Id 5,6V vid 2,4mA
Serie CoolSiC™ G2	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 14.9 nC @ 18 V
Förpackning Rör	Vgs (Max) +23V, -7V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 516 pF @ 400 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 111W (Tc)
Teknologi SiCFET (kiselkarbid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Monteringstyp Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 26,6 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO247-4-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Inkapsling/låda TO-247-4

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 360

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 78,00000	kr 78,00
30	kr 44,70933	kr 1 341,28
120	kr 37,38800	kr 4 486,56
510	kr 32,02208	kr 16 331,26
1 020	kr 30,06500	kr 30 666,30
2 010	kr 28,45277	kr 57 190,07

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.