Name: IMZA65R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R033M2HXKSA1-ND
Price: 158.175 SEK
Availability: OutOfStock

N-kanal 650 V 53 A (Tc) 194W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-8

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMZA65R033M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZA65R033M2HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMZA65R033M2HXKSA1
Beskrivning	IMZA65R033M2HXKSA1
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 53 A (Tc) 194W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMZA65R033M2HXKSA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 30mOhm vid 27,9A, 20V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs(th) (Max) @ Id 5,6V vid 5,7mA
Serie CoolSiC™	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 18 V
Förpackning Rör	Vgs (Max) +23V, -7V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1214 pF @ 400 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 194W (Tc)
Teknologi SiCFET (kiselkarbid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Monteringstyp Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 53 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO247-4-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Inkapsling/låda TO-247-4

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 0

Kontrollera leveranstid

Begär lagermeddelande

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 126,54000	kr 126,54
30	kr 75,53333	kr 2 266,00
120	kr 64,34292	kr 7 721,15
510	kr 56,15035	kr 28 636,68
1 020	kr 53,16299	kr 54 226,25

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.