N-kanal 650 V 53 A (Tc) 197W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMZA65R030M1HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMZA65R030M1HXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IMZA65R030M1HXKSA1
Beskrivning
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 53 A (Tc) 197W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMZA65R030M1HXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Inte för nya designer
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
42mOhm vid 29,5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,7V vid 8,8mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+20V, -2V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1643 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
197W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-4-3
Inkapsling/låda
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 13
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Rekommenderas ej för nya konstruktioner. Miniminivåer kan förekomma.
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 114,60000kr 114,60
30kr 69,23267kr 2 076,98
120kr 59,29592kr 7 115,51
510kr 58,63586kr 29 904,29
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 114,60000
Enhetspris inkl. moms:kr 143,25000