N-kanal 650 V 59 A (Tc) 189W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMZA65R027M1HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IMZA65R027M1HXKSA1
Beskrivning
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 59 A (Tc) 189W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMZA65R027M1HXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Inte för nya designer
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
34mOhm vid 38,3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,7V vid 11mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2131 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
189W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-4-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 274
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Rekommenderas ej för nya konstruktioner. Miniminivåer kan förekomma. Visa Ersättningsartiklar.
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 135,11000kr 135,11
30kr 82,18400kr 2 465,52
120kr 70,59300kr 8 471,16
510kr 64,15131kr 32 717,17
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 135,11000
Enhetspris inkl. moms:kr 168,88750