IMW65R039M1HXKSA1
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMW65R057M1HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMW65R057M1HXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IMW65R057M1HXKSA1
Beskrivning
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Tillverkarens standardleveranstid
23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 35 A (Tc) 133W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-41
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMW65R057M1HXKSA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
74mOhm vid 16,7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,7V vid 5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+20V, -2V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
133W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-3-41
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 11
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 75,03000kr 75,03
30kr 43,64000kr 1 309,20
120kr 36,74633kr 4 409,56
510kr 33,38796kr 17 027,86
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 75,03000
Enhetspris inkl. moms:kr 93,78750