Inställningar
Snabb leverans
Fri frakt
Incoterms
Betalningstyper
Marketplace-produkt
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
IMW65R030M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | 448-IMW65R030M1HXKSA1-ND |
Tillverkare | |
Tillverkarens produktnummer | IMW65R030M1HXKSA1 |
Beskrivning | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Kundreferens | |
Detaljerad beskrivning | N-kanal 650 V 58 A (Tc) 197W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-41 |
Datablad | Datablad |
EDA-/CAD-modeller | IMW65R030M1HXKSA1 Modeller |
Produktattribut
Typ | Beskrivning | Välj alla |
|---|---|---|
Kategori | ||
Tillv. | ||
Serie | ||
Förpackning | Rör | |
Artikelstatus | Inte för nya designer | |
FET-typ | ||
Teknologi | ||
Drain till source-spänning (Vdss) | 650 V | |
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C | ||
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) | 18V | |
Rds On (max) @ Id, Vgs | 42mOhm vid 29,5A, 18V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5,7V vid 8,8mA | |
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 18 V | |
Vgs (Max) | +20V, -2V | |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1643 pF @ 400 V | |
FET-funktion | - | |
Effektförlust (max) | 197W (Tc) | |
Arbetstemperatur | -55°C-175°C (TJ) | |
Grad | - | |
Godkännande | - | |
Monteringstyp | Genomgående hål | |
Leverantörens enhetsförpackning | PG-TO247-3-41 | |
Inkapsling/låda | ||
Basproduktens nummer |
I lager: 275
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
| Antal | Enhetspris | Totalpris |
|---|---|---|
| 1 | kr 116,35000 | kr 116,35 |
| 30 | kr 70,20133 | kr 2 106,04 |
| 120 | kr 60,09017 | kr 7 210,82 |
| 510 | kr 57,48251 | kr 29 316,08 |
| Enhetspris exkl. moms: | kr 116,35000 |
|---|---|
| Enhetspris inkl. moms: | kr 145,43750 |
Associerad produktVisa alla
4 Artiklar
Sverige