Name: IMW65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Price: 165.0125 SEK
Availability: OutOfStock

IMW65R027M1HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMW65R027M1HXKSA1
Beskrivning	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 47 A (Tc) 189W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-41
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMW65R027M1HXKSA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSIC™ M1
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Inte för nya designer
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	47 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	34mOhm vid 38,3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,7V vid 11mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	62 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2131 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	189W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-3-41
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	IMW65R027

Enhetspris exkl. moms:	kr 132,01000
Enhetspris inkl. moms:	kr 165,01250

IMW65R027M1HXKSA1